硫酸陽極氧化膜成長機理

　　鋁的硫酸陽極氧化方法有：純硫酸體系陽極氧硬陽處理化、硬質陽極氧化、混合體系的硫酸陽極氧化等。

　　硫酸陽極氧化膜陽極處理成長機理

　　關於鋁陽極氧化膜形成機理，迄今國內外己有大量研究，並極大地促進了鋁陽極氧化理論的發展。在直流陽極氧化中一般認為:在硫酸電解液中陽極氧化時，作為陽極的鋁制品，在陽極化初始的短暫時間內，其表面受到均勻氧化，生成極薄而有非常致密的膜，由於硫酸溶液的作用，膜的最弱點(如晶界，雜質密集點，晶格缺陷或結構變形處)發生局部溶解，而出現大量孔隙，即原生氧化中心，使基體金屬能與進入孔隙的電解液接觸，電流也因此得以繼續傳導，新生成的氧離子則用來氧化新的金屬，並以孔底為中心而展開，電鍍最後彙合，在舊膜與金屬之間形成一層新膜，使得局部溶解的舊膜如同得到“修補”似的。

　　隨著陽極氧化時間的延長，膜的不斷溶解或修補，陽極氧化反應得以向縱深發展，從而使制品表面生成薄而致密的內層和厚而多孔的外層所組成的陽極氧化膜。鋁陽極氧化過程中出現的氧化電位階躍現像，是由陽極氧化膜阻擋層的增厚引起的，阻擋層首先在孔隙面上生成，當達到一定厚度之後向孔隙面以外的面上鋪展，即在多孔層的生長過程中，阻擋層的厚度也在逐漸的增厚，只是當達到二鋁表面處理定厚度之後才保持恆定。

　　其內層(介電層、活性層)厚度至氧化結束基本都不變，位置卻不斷向深處推移；而在一定的陽極氧化時間內隨時間而增厚。隨著膜的厚度增加，膜的生長速度降低，當膜的生成速度和膜的溶解速度相等時，膜的厚度不再增加，成為一個定值。此時阻擋層的朝外一面在電解液的作用下疏松化，在其中形成孔隙，在被電解液填充的孔隙中又進一步形成新的阻擋層。因此在陽極氧化過程中包括了兩種反應過程，一種是鋁表面氧化生成氧化鋁膜的電化學過程；另一種是陽極氧化膜不斷被電解液溶解的化學溶解過程。